在美国的威逼下,asml宣布进一步限制对我国duv光刻机零部件出口,然而asml才刚宣布接受美国的建议,我们的国产光刻机突然官宣了,西方媒体争相报道,其中美媒还酸溜溜的说这款DUV光刻机是asml十年前的水平。根据公布的数据,这台国产duv的套刻≤8纳米,不过大家不要误认为可以生产出8nm工艺的芯片,还得根据波长进行判断,波长193nm,能生产最先进的工艺芯片水平是28nm,虽然和当前主流手机芯片工艺有巨大差距,但意义重大,之前国产光刻机还停留在90nm,如今做到了28nm,是巨大的进步,28nm突破了,14nm也就不远了。
实际上,无论是台积电英特尔还是asml,都会通过多重曝光技术生产出先进芯片,一旦我国突破14nm光刻机,在多重曝光技术下,肯定能生产出7nm芯片。另外有一点非常重要,除了智能手机和部分高端电脑芯片和ai芯片外,各行各业都在使用28nm以下芯片,还没有达到普遍使用7nm芯片的情况。
最后想说的是国产光刻机的突破,又再次打脸那些说我国一己之力造不出来的人的脸。对于西方媒体的评价我们早都习惯了,我们没有的时候,他们说造不出来,我们有的时候,他们一边说落后,一边低价出售同类型设备,说明西方国家开始慌了。
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